Πρίσμα &το Prisma EXΠολυλειτουργικό περιβαλλοντικό κενό φως βολφραμίου ανάλυση καλωδίων ηλεκτρονικό μικροσκόπιο σάρωσης

• Ένα πραγματικά πολυχρήσιμο εργαστήριο ηλεκτρονικού μικροσκόπιου σάρωσης SEM με πλήρες απόδοση και εύκολο χειρισμό
• Με μοναδικό ESEM ™ Περιβαλλοντική λειτουργία κενού
• Υψηλό κενό, χαμηλό κενό και ESEM ™ Περιβαλλοντικό κενό Τρεις μορφές κενού, κατάλληλες για την ανάλυση του ευρύτερου φάσματος δειγμάτων, το φάσμα δειγμάτων περιλαμβάνει ηλεκτρικά αγώγιμα υλικά, μη αγώγιμα υλικά, αφαίνιση, μη επικάλυψη ή άλλα δείγματα που δεν εφαρμόζονται σε κενό.
• Μια σειρά από ενσωματωμένα λογισμικά ανάλυσης σε πραγματικό χρόνο για την ολοκλήρωση δυναμικής ανάλυσης πειραματικής ανίχνευσης.
• Χαμηλό κενό και περιβαλλοντικό κενό ESEM ικανοποιούν την ανάλυση ανίχνευσης μη αγώγιμων υλικών και φορολογημένων δειγμάτων
• Η λειτουργία in situ επιτρέπει αξιόπιστα αποτελέσματα ανάλυσης ακόμη και σε μονωμένα ή υψηλής θερμοκρασίας δείγματα.
• Υποστηρίζοντας προεπιλογές πριν τη σάρωση, οι κάμερες με πλοήγηση και SmartScanTM βελτιώνουν την παραγωγικότητα, την ποιότητα των δεδομένων και την ικανότητα να ανταποκριθούν σε υψηλότερες απαιτήσεις χρήσης.
• Ανάλυση in situ σε θερμοκρασίες -165°C έως 1400°C
• Τάση επιτάχυνσης: 200 V - 30 kV
• Ηλεκτρονικός πολλαπλασιαστής μεγέθυνσης: 6x – 1.000.000x (μπορεί να συλλέξει και να εμφανίσει τέσσερις εικόνες ταυτόχρονα)
• Ανίχνευση: Δεύτερος ηλεκτρονικός ανιχνευτής Everhart-Thomley σε λειτουργία υψηλού κενού (E-T SED). ανιχνευτής χαμηλού κενού SE (LVD) Δεύτερος ηλεκτρονικός ανιχνευτής αερίων περιβαλλοντικού κενού ESEM (GESD) Υπερκόκκινη κάμερα CCD
• Σύστημα κενού: 1 αντλία μορίων τουρμπίνων 250L / s, 1 περιστροφική μηχανική αντλία Διαφορικό σύστημα κενού πίεσης με δίπλωμα ευρεσιτεχνίας «μέσω φακού»· Χρόνος εξάτμισης ≤3.5min στο υψηλό κενό, ≤4.5min στο κενό ESEM / χαμηλό κενό Προαιρετική παγίδα κρύου CryoCleaner Προαιρετική αναβάθμιση σε PVP χωρίς έλαιο
• Δωμάτιο δείγματος:

Εσωτερική διάμετρος 340 mm

Ανάλυση απόστασης εργασίας 10 mm

12 συνδέσεις εξαρτημάτων

Γωνία συλλογής EDS: 35°

• Ανάλυση:

高真空模式

• 3,0 nm @ 30 kV (SE)
• 4,0 nm @ 30 kV (BSE)*
• 8,0 nm @ 3 kV (SE)

Λειτουργία επιβράδυνσης σε υψηλό κενό

• 7,0 nm @ 3 kV

Λειτουργία χαμηλού κενού

• 3,0 nm @ 30 kV (SE)
• 4,0 nm @ 30 kV (BSE)
• 10 nm @ 3 kV (SE)

• ESEM περιβαλλοντικό κενό
  • 3,0 nm @ 30 kV (SE)